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纳芯微的非隔离低边驱动器，拥有传输延时小、驱动能力强、输入耐负压等优异性能，有助于降低开关损耗、提高开关频率，进而实现高效、高功率密度、高可靠的系统设计。
产品选型表
显示 种器件
| 产品名称 | ECAD Model | 驱动对象 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | VCC(Max)(V) | 传播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特性 | 工作温度 (°C) | 产品等级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD1012C-DSTCR |
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MOSFET/IGBT | 3/-4 | 1 | 25 | 50/50 | N/A | EN/nFLT，负向触发电压的过流保护（-0.242V），输入颗兼容TTL/CMO输出信号 | -40~125 | 工业级 | SOT23-6 |
| NSD1026VF-DSPR |
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GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD1026V-DSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD1026V-DHMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | EP-MSOP8 |
| NSD1026V-DDAER |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | DFN8 |
| NSD1026V-Q1SPR |
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GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | SOP8 |
| NSD1026V-Q1HSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-SOP8 |
| NSD1026V-Q1HMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-MSOP8 |
| NSD1015T-DSPR |
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MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT过流保护，FAULT故障上报，5V对外供电，双极性供电 | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD1015MT-DSPR |
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MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT过流保护，FAULT故障上报，5V对外供电，米勒钳位 | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD10159-DSTAR |
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MOSFET/IGBT | 3.5/-4 | 1 | 35 | 40/40 | N/A | Enable、宽范围供电：4.7 V to 32 V | -40~125 | 工业级 | SOT23-5 |
| NSD10151-Q1STCR |
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MOSFET/IGBT | 2/-4 | 2 | 35 | 45/45 | N/A | Enable、Split output | -40~125 | 车规级 | SOT23-6 |
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